%0 Journal Article
%T THE PROPERTIES OF GaInP GROWN BY MOCVD<br>GaInP材料生长及其性质研究
%A Dong Jianrong
%A Liu Xianglin
%A Lu Dacheng
%A Wang Du
%A Wang Xiaohui
%A Wang Zhanguo
%A <br>董建荣
%A 刘祥林
%J 光子学报
%D 1996
%I 
%X 用常压ＭＯＣＶＤ在半绝缘ＧａＡｓ衬底上生长了ＧａｘＩｎ１－ｘ Ｐ（ｘ＝０．４７６－０．５２）外延层，对外延层进行了Ｘ光双晶衍射，Ｈａｌｌ和光致发光测试。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ。载流子浓度随生长温度和蔼同，随Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，并提出的Ｐ空位是自由载流子的一个重要来源，１７Ｋ ＰＬ谱中，Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的峰能为１．８２８ｅＶ，半峰宽为１９ｍｅＶ。
%K MOCVD
%K GaInP
%K Photoluminescence<br>MOCVD
%K 光致发光
%K GaInP
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=51CFFDCDB866102BDE7E2D2A024D67FA&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=C5154311167311FE&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=9CF7A0430CBB2DFD&eid=708DD6B15D2464E8&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=3