1.3μm场助TE光阴极In1—xGaxAsyP1—y／InP的能带计算及外延层的设计

本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。