%0 Journal Article
%T 1.3μm场助TE光阴极In1—xGaxAsyP1—y／InP的能带计算及外延层的设计
%A 王存让
%A 郭里辉
%J 光子学报
%D 1992
%I 
%X 本文首先简述了1.3μm场助TE光阴极InP(衬底)/In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)/Ag/CsO的工作原理,并对其能带结构进行了计算,得到了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)(光吸收层)/InP(发射层)的势垒高度、掺杂、InP发射层厚度、组份、渐变区宽度,偏压及耗尽层宽度间的定量关系。并由此出发,对光阴极各参数的设计进行了分析讨论。
%K 光阴极
%K 异质结
%K 能带
%K 计算
%K 半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=EFB82954E8FB1CACDAE3813F649FED40&yid=F53A2717BDB04D52&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B9704B40A4225A24&eid=46CB27789995047D&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=1&reference_num=2