Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD
光辅助超高真空CVD系统制备SiGe 异质结双极晶体管研究

介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统，简称U^3CVD系统。应用该系统，在450℃低温和10^—7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)材料。实验表明，该系统制各的SiGeHBT材料性能良好。