%0 Journal Article
%T Study on Fabrication of SiGe/Si-HBT by Photo-assisted UHV-CVD<br>光辅助超高真空CVD系统制备SiGe 异质结双极晶体管研究
%A Dai Xianying
%A Hu Huiyong
%A Zhang Heming
%A Sun JianchengMicroelectronics Institute
%A Xidian University
%A Xian
%A China
%A <br>戴显英
%A 胡辉勇
%A 张鹤鸣
%A 孙建诚
%J 光子学报
%D 2003
%I 
%X 介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积(UHVCVD)和超低压化学汽相淀积(ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积(CVD)工艺系统，简称U^3CVD系统。应用该系统，在450℃低温和10^—7Pa超高真空环境下研制出了硅锗(SiGe)材料和硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)材料。实验表明，该系统制各的SiGeHBT材料性能良好。
%K UHV(Ultra High Vacuum)
%K UV(Ultraviolet)
%K CVD(Chemical Vapor Deposition)
%K SiGe HBT<br>紫外光化学汽相淀积
%K 超高真空化学汽相淀积
%K 超低压化学汽相淀积
%K 异质结
%K 硅锗材料
%K 双极晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=21DDB5BBF22E7F4D&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=9971A5E270697F23&iid=E158A972A605785F&sid=4ECB3941871FD391&eid=D8AE57480552698F&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=1&reference_num=9