DESIGN AND FABRICATION OF 1.3μm UNCOOLED ALGaInAs/InP STRAIN-COMPENSATED QUANTUM WELL LASERS
1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作

基于半导体量子阱激光器的基本理论，设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP就变补偿量子阱激光器结构，通过低压金属有机化学气相外延（LP-MOVPE）工艺在国内首次生长了高质量的AlGaInAs/InP应变补偿量子阱结构材料，用此材料制作的器件指标为激射波长：1280nm≤λ≤1320nm，阈值电流：Ith(25℃）≤15mA,Ith(85℃）≤30mA，量子效率变化：△ηex(25℃-85℃）≤1.0dB，线性率功率：P0≥10mW。