%0 Journal Article
%T DESIGN AND FABRICATION OF 1.3μm UNCOOLED ALGaInAs/InP STRAIN-COMPENSATED QUANTUM WELL LASERS<br>1.3μm无致冷AlGaInAs/InP应变补偿量子阱激光器设计与制作
%A Ma Hong
%A Yi Xinjian
%A Jin Jinyan
%A Yang Xinmin
%A Li Tongning
%A <br>马宏
%A 易新建
%A 金锦炎
%A 杨新民
%A 李同宁
%J 光子学报
%D 2002
%I 
%X 基于半导体量子阱激光器的基本理论，设计了合理的1.3μm无致冷AlGaInAs/InP就变补偿量子阱激光器结构，通过低压金属有机化学气相外延（LP-MOVPE）工艺在国内首次生长了高质量的AlGaInAs/InP应变补偿量子阱结构材料，用此材料制作的器件指标为激射波长：1280nm≤λ≤1320nm，阈值电流：Ith(25℃）≤15mA,Ith(85℃）≤30mA，量子效率变化：△ηex(25℃-85℃）≤1.0dB，线性率功率：P0≥10mW。
%K AlGaInAs
%K Strain-compensated
%K Quantum well
%K LP-MOVPE<br>AlGaInAs
%K 应变补偿
%K 量子阱
%K 低压金属有机化学气相外延
%K 半导体激光器
%K 设计
%K 制作
%K 致冷器
%K 铝镓铟砷化合物
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=9F6139E34DAA109F9C104697BF49FC39&aid=455B9828455D01FB&yid=C3ACC247184A22C1&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=0B39A22176CE99FB&sid=AC1578C6BB9EBDEF&eid=64963996248CBF47&journal_id=1004-4213&journal_name=光子学报&referenced_num=0&reference_num=5