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ISSN: 2333-9721
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A EVALUATION OF CRITICAL STRESS OF Si CRYSTAL
Si晶体临界切应力的一种求法

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Abstract:

研究了Ｓｉ晶体中微印压和氧沉淀应力场开动位错的临界切应力τｃ结果表明，在充分大的距离内，微印压或氧沉淀连同邻近的位错群可视为一个集中应力芯；其应力场随距离增大而趋于零．在此基础上获得了求τｃ的公式，求得区熔和直拉Ｓｉ单晶在９００℃时的τｃ为３．１×１０３和５．３×１０３Ｎ．ｃｍ－２．

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