%0 Journal Article
%T A EVALUATION OF CRITICAL STRESS OF Si CRYSTAL<br>Si晶体临界切应力的一种求法
%A DUAN Pei
%A <br>段沛
%J 材料研究学报
%D 1995
%I 
%X 研究了Ｓｉ晶体中微印压和氧沉淀应力场开动位错的临界切应力τｃ结果表明，在充分大的距离内，微印压或氧沉淀连同邻近的位错群可视为一个集中应力芯；其应力场随距离增大而趋于零．在此基础上获得了求τｃ的公式，求得区熔和直拉Ｓｉ单晶在９００℃时的τｃ为３．１×１０３和５．３×１０３Ｎ．ｃｍ－２．
%K dislocation critical resolved shear stress silicon crystal<br>位错
%K 临界切应力
%K 硅晶体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=84529CA2B2E519AC&jid=C101C4C04993B4D94FCD8446E6CBEB3B&aid=C842946CEA69497B&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=9CF7A0430CBB2DFD&iid=94C357A881DFC066&sid=AFB2C35009D5D191&eid=0BD4FAD4A90498AB&journal_id=1005-3093&journal_name=材料研究学报&referenced_num=0&reference_num=2