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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
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Analytical models for the base transit time of a bipolar transistor with double base epilayers
双外延基区BJT基区渡越时间的模型研究

Keywords: 4H-SiC,bipolar junction transistors,build-in electric ?eld,base transit time
4H-SiC
,双极晶体管,自建电场,基区渡越时间

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Abstract:

基于4H-SiC的材料特性和双外延基区结构的4H-SiC BJT的工作原理,依据漂移扩散理论,建立双外延基区的掺杂分布函数,并在小注入的条件下,求解该结构基区渡越时间的解析模型,并通过二维仿真模型对采用该结构的器件进行模拟验证。计算结果表明,由不同浓度的基区所形成的内部自建电场有助于加速载流子的渡越,从而减小基区渡越时间,提高器件的工作性能。模拟结果显示,当双层基区的厚度比值在2左右时,基区渡越时间取极小值。

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