%0 Journal Article
%T Analytical models for the base transit time of a bipolar transistor with double base epilayers<br>双外延基区BJT基区渡越时间的模型研究
%A Zhang Qian
%A Zhang Yuming
%A Zhang Yimen
%A <br>张倩
%A 张玉明
%A 张义门
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 基于4H-SiC的材料特性和双外延基区结构的4H-SiC BJT的工作原理，依据漂移扩散理论，建立双外延基区的掺杂分布函数，并在小注入的条件下，求解该结构基区渡越时间的解析模型，并通过二维仿真模型对采用该结构的器件进行模拟验证。计算结果表明，由不同浓度的基区所形成的内部自建电场有助于加速载流子的渡越，从而减小基区渡越时间，提高器件的工作性能。模拟结果显示，当双层基区的厚度比值在2左右时，基区渡越时间取极小值。
%K 4H-SiC
%K bipolar junction transistors
%K build-in electric ?eld
%K base transit time<br>4H-SiC
%K 双极晶体管
%K 自建电场
%K 基区渡越时间
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4496A4119879AD5343A67050F524B66B&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=72D184EC37A57FC0&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0