Fabrication of strained Ge film using a thin SiGe virtual substrate
采用薄SiGe虚拟衬底制备应变Ge材料

应用减压化学气相淀积（RPCVD）和超高真空化学气相淀积（UHVCVD）技术，制备出了具有压应变的应变Ge薄膜．首先，利用低温（生长温度500 C）RPCVD制备出完全弛豫的薄SiGe虚拟衬底，厚度只有135nm，Ge含量77%，表面粗糙度只有0.3nm．然后，在SiGe虚拟衬底上，利用低温（生长温度300 C）UHVCVD外延得到厚度9nm，表面粗糙度0.4nm，位错密度约105 cm-2的应变Ge薄膜．最后在Ge薄膜上外延一层1.5~2nm厚的超薄应变Si帽层作为保护和钝化层．整个外延层厚不超过150nm．由于外延温度低，外延生长以二维平面生长模式为主导，这是获得高质量应变Ge薄膜的关键因素之一．