%0 Journal Article
%T Fabrication of strained Ge film using a thin SiGe virtual substrate<br>采用薄SiGe虚拟衬底制备应变Ge材料
%A Guo Lei
%A Zhao Shuo
%A Wang Jing
%A Liu Zhihong
%A Xu Jun
%A <br>郭磊
%A 赵硕
%A 王敬
%A 刘志弘
%A 许军
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 应用减压化学气相淀积（RPCVD）和超高真空化学气相淀积（UHVCVD）技术，制备出了具有压应变的应变Ge薄膜．首先，利用低温（生长温度500 C）RPCVD制备出完全弛豫的薄SiGe虚拟衬底，厚度只有135nm，Ge含量77%，表面粗糙度只有0.3nm．然后，在SiGe虚拟衬底上，利用低温（生长温度300 C）UHVCVD外延得到厚度9nm，表面粗糙度0.4nm，位错密度约105 cm-2的应变Ge薄膜．最后在Ge薄膜上外延一层1.5~2nm厚的超薄应变Si帽层作为保护和钝化层．整个外延层厚不超过150nm．由于外延温度低，外延生长以二维平面生长模式为主导，这是获得高质量应变Ge薄膜的关键因素之一．
%K strained Ge
%K SiGe virtual substrate
%K RPCVD
%K UHVCVD<br>应变Ge
%K SiGe虚拟衬底
%K RPCVD
%K UHVCVD
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2197A235028BC3B3DE8AACB19B1524CE&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=EF04B897EAE1CC00&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0