A full on-chip CMOS low-dropout voltage regulator with VCCS compensation
一种基于电压控制电流源的单片LDO稳压器的设计与实现

提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO稳压器，主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用电压控制电流源（VCCS）补偿方案，与其他补偿方法相比，VCCS补偿仅需要一个0.18 pF的电容。误差放大器采用折叠共源共栅结构，可以提供高的电源抑制比，并且使得设计的LDO为两级放大器结构，有利于简化补偿网络。文中设计的LDO在低频时电源抑制比（PSR）为-58.7 dB，在1MHz处的电源抑制比为-20 dB。采用0.35 μm CMOS工艺流片，测试结果表明，本文设计的LDO可以为负载提供50 mA的电流。