%0 Journal Article
%T A full on-chip CMOS low-dropout voltage regulator with VCCS compensation<br>一种基于电压控制电流源的单片LDO稳压器的设计与实现
%A Gao Leisheng
%A Zhou Yumei
%A Wu Bin
%A Jiang Jianhua
%A <br>高雷声
%A 周玉梅
%A 吴斌
%A 蒋见花
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 提出了一种单片集成的高电源抑制比LDO稳压器，主要应用于PLL中VCO和电荷泵的电源供给。该稳压器采用电压控制电流源（VCCS）补偿方案，与其他补偿方法相比，VCCS补偿仅需要一个0.18 pF的电容。误差放大器采用折叠共源共栅结构，可以提供高的电源抑制比，并且使得设计的LDO为两级放大器结构，有利于简化补偿网络。文中设计的LDO在低频时电源抑制比（PSR）为-58.7 dB，在1MHz处的电源抑制比为-20 dB。采用0.35 μm CMOS工艺流片，测试结果表明，本文设计的LDO可以为负载提供50 mA的电流。
%K voltage regulator
%K full on-chip
%K high PSR
%K VCCS
%K LDO oindent<br>稳压器
%K 单片集成
%K 高电源抑制比
%K VCCS补偿
%K LDO
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=39B46C69D1368037669B551BAD4BC092&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=5D311CA918CA9A03&sid=33460BE79D1D2ED5&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0