A 1.2-V CMOS front-end for LTE direct conversion SAW-less receiver
一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计

本文提出了一种应用于LTE直接变频接收机的CMOS射频前端电路。电路由低噪声跨导放大器（LNA），电流型无源混频器和跨阻运算放大器（TIA）组成，该结构对于LTE多频带应用具有高集成，高线性，并实现简单的频率配置。电路采用多个电流舵跨导级实现了大的可变增益控制范围。电流型无源混频器采用25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性性能。为了抑制带外干扰，采用直接耦合电流输入滤波器。该射频前端电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围，具有45dB电压转换增益，噪声系数为2.7dB，IIP3为-7dBm以及校准后的IIP2为 60dBm。电路采用1.2V单电压供电，整个电路工作电流为40mA。