%0 Journal Article
%T A 1.2-V CMOS front-end for LTE direct conversion SAW-less receiver<br>一种应用于LTE直接变频无声表滤波器接收机的1.2-V CMOS前端设计
%A Wang Riyan
%A Huang Jiwei
%A Li Zhengping
%A Zhang Weifeng
%A Zeng Longyue
%A <br>王日炎
%A 黄继伟
%A 李正平
%A 张伟峰
%A 曾隆月
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出了一种应用于LTE直接变频接收机的CMOS射频前端电路。电路由低噪声跨导放大器（LNA），电流型无源混频器和跨阻运算放大器（TIA）组成，该结构对于LTE多频带应用具有高集成，高线性，并实现简单的频率配置。电路采用多个电流舵跨导级实现了大的可变增益控制范围。电流型无源混频器采用25%占空比本振改善了电路增益、噪声和线性性能。为了抑制带外干扰，采用直接耦合电流输入滤波器。该射频前端电路采用0.13-μm CMOS工艺设计制造。测试结果表明电路在2.3GHz到2.7GHz工作频率范围，具有45dB电压转换增益，噪声系数为2.7dB，IIP3为-7dBm以及校准后的IIP2为 60dBm。电路采用1.2V单电压供电，整个电路工作电流为40mA。
%K RF CMOS
%K front-end
%K passive mixer
%K 25% duty-cycle
%K variable gain
%K quadrature demodulator<br>RF
%K CMOS
%K 前端
%K 无源混频器
%K 25%占空比
%K 可变增益
%K 噪声系数
%K 正交调制器
%K 直接变频接收机
%K LTE
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F1E2B134F3CCFA08C9FB0B5922D3B062&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=38B194292C032A66&sid=C19097347208E124&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10