Ohmic contact behaviour of Co/C/4H-SiC structures
Co/C/4H-SiC欧姆接触特性的研究

研究了Co/4H-SiC结构的电学特性。通过直流溅射的方式在金属Co 薄膜 与SiC之间淀积了一层碳薄膜，极大地改善了欧姆特性。采用两步快速退火工艺，即500 °C 退火 10 分钟 再 1050 °C 退火 3 分钟，形成了良好的欧姆接触，接触电阻率为2.30×10-6 Ω.cm2。X射线衍射（XRD）分析表明高温退火后Co基金属接触层中的硅化物更加稳定，接触层下形成的富碳层有效地降低了电子输运的势垒高度，对欧姆接触的形成起了关键作用。通过对Au/Co/C/SiC 欧姆接触的热稳定性测试，结果表明经过500oC下20小时的热测试，掺杂浓度为2.8×1018 cm-3的 n型4H-SiC保持了良好的欧姆特性。