%0 Journal Article
%T Ohmic contact behaviour of Co/C/4H-SiC structures<br>Co/C/4H-SiC欧姆接触特性的研究
%A Wang Yongshun
%A Liu Chunjuan
%A Gu Shengjie
%A Zhang Caizhen
%A <br>王永顺
%A 刘春娟
%A 顾生杰
%A 张彩珍
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 研究了Co/4H-SiC结构的电学特性。通过直流溅射的方式在金属Co 薄膜 与SiC之间淀积了一层碳薄膜，极大地改善了欧姆特性。采用两步快速退火工艺，即500 °C 退火 10 分钟 再 1050 °C 退火 3 分钟，形成了良好的欧姆接触，接触电阻率为2.30×10-6 Ω.cm2。X射线衍射（XRD）分析表明高温退火后Co基金属接触层中的硅化物更加稳定，接触层下形成的富碳层有效地降低了电子输运的势垒高度，对欧姆接触的形成起了关键作用。通过对Au/Co/C/SiC 欧姆接触的热稳定性测试，结果表明经过500oC下20小时的热测试，掺杂浓度为2.8×1018 cm-3的 n型4H-SiC保持了良好的欧姆特性。
%K ohmic contacts
%K SiC
%K contact properties
%K carbon-enriched layer
%K stability<br>欧姆接触
%K 碳化硅
%K 接触特性
%K 富碳层
%K 热稳定性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3DFC88ABA190FA30B80C2630B3BDFDA1&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=E158A972A605785F&sid=0FA0889A2235ADDB&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0