一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术

本文呈现了一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术。对ADC的高3位Flash转换器和低5位折叠内插ADC执行了类似的数字校正。电路的Spice仿真和芯片测试结果显示，对于高频宽带模拟信号输入，当禁用校正电路时，该ADC地 ENOB只能达到5.9位，启用校正，ENOB可以获得7.2位。