%0 Journal Article
%T 一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术
%A 余金山
%A 张瑞涛
%A 张正平
%A 王永禄
%A 朱璨
%A 张磊
%A 俞宙
%A 韩勇
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 本文呈现了一种0.18微米CMOS工艺下超高速宽带折叠内插ADC的数字校正技术。对ADC的高3位Flash转换器和低5位折叠内插ADC执行了类似的数字校正。电路的Spice仿真和芯片测试结果显示，对于高频宽带模拟信号输入，当禁用校正电路时，该ADC地 ENOB只能达到5.9位，启用校正，ENOB可以获得7.2位。
%K 超高速
%K 宽带
%K 折叠内插
%K 模数转换器
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A198C7E384D5697BF9C89525B376DCA8&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=1F3ADE0F2917CCCC&eid=5D311CA918CA9A03&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0