ICP dry etching ITO to improve the performance of GaN-based LEDs
采用ICP干法刻蚀ITO提高GaN基LED的特性

针对常规双电极蓝宝石衬底GaN基LED，为了提高出光效率，在P-GaN表面生长一层ITO作为电流扩展层和增透膜。但是，在腐蚀ITO的过程中，经常会遇到ITO被侧向腐蚀的问题。本文中，通过湿法腐蚀得到的ITO薄膜大概被腐蚀掉6.43%～1/3的面积。这个问题可以通过ICP干法刻蚀来解决，ICP干法刻蚀能很好的改善ITO侧向腐蚀，并且工艺简单，能很好的改善LED器件的特性。得到的ITO薄膜边缘陡峭，面积完整，相较于湿法腐蚀ITO，在工作中ICP干法刻蚀ITO的LED，发光面积最少能提高6.43%，光强最高能提高45.9%。