%0 Journal Article
%T ICP dry etching ITO to improve the performance of GaN-based LEDs<br>采用ICP干法刻蚀ITO提高GaN基LED的特性
%A Meng Lili
%A Chen Yixin
%A Ma Li
%A Liu Zike
%A Shen Guangdi
%A <br>孟丽丽
%A 陈依新
%A 马莉
%A 刘自可
%A 沈光地
%J 半导体学报
%D 2011
%I 
%X 针对常规双电极蓝宝石衬底GaN基LED，为了提高出光效率，在P-GaN表面生长一层ITO作为电流扩展层和增透膜。但是，在腐蚀ITO的过程中，经常会遇到ITO被侧向腐蚀的问题。本文中，通过湿法腐蚀得到的ITO薄膜大概被腐蚀掉6.43%～1/3的面积。这个问题可以通过ICP干法刻蚀来解决，ICP干法刻蚀能很好的改善ITO侧向腐蚀，并且工艺简单，能很好的改善LED器件的特性。得到的ITO薄膜边缘陡峭，面积完整，相较于湿法腐蚀ITO，在工作中ICP干法刻蚀ITO的LED，发光面积最少能提高6.43%，光强最高能提高45.9%。
%K ITO
%K lateral corrosion
%K dry etching
%K light extraction efficiency<br>ITO，侧向腐蚀，干法刻蚀，出光效率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7DE0AC3BC817193C12B3993FA3C4BC81&yid=9377ED8094509821&vid=9971A5E270697F23&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=EB7C53DDD73D5282&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0