全部 标题 作者
关键词 摘要

OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
投递稿件

查看量下载量

相关文章

更多...

A Low-Power,Single-Poly,Non-Volatile Memory for Passive RFID Tags
适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

Keywords: RFID,single-poly,non-volatile memory,standard CMOS process,sense amplifier,low power
射频识别,单栅,非挥发性存储器,标准CMOS工艺,敏感放大器,低功耗,RFID,single-poly,non-volatile,memory,standard,CMOS,process,sense,amplifier,low,power

Full-Text   Cite this paper   Add to My Lib

Abstract:

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.

Full-Text

Contact Us

service@oalib.com

QQ:3279437679

WhatsApp +8615387084133