%0 Journal Article
%T A Low-Power,Single-Poly,Non-Volatile Memory for Passive RFID Tags<br>适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器
%A Zhao Dixian
%A Yan N
%A Xu Wen
%A Yang Liwu
%A Wang Junyu
%A Min Hao
%A <br>赵涤燹
%A 闫娜
%A 徐雯
%A 杨立吾
%A 王俊宇
%A 闵昊
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.
%K RFID
%K single-poly
%K non-volatile memory
%K standard CMOS process
%K sense amplifier
%K low power<br>射频识别
%K 单栅
%K 非挥发性存储器
%K 标准CMOS工艺
%K 敏感放大器
%K 低功耗
%K RFID
%K single-poly
%K non-volatile
%K memory
%K standard
%K CMOS
%K process
%K sense
%K amplifier
%K low
%K power
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=264CA32DF602E3964ECD08C8C3C7FAF3&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=A4FA325EA800C820&eid=DBF54A8E2A721A6D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=18