A 150% enhancement of PMOSFET mobility using hybrid orientation
采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%

本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法，成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料，成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件，器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下，电流驱动能力提高了50.7%，最大迁移率增加了150%，是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。