%0 Journal Article
%T A 150% enhancement of PMOSFET mobility using hybrid orientation<br>采用混合晶向实现PMOSFET迁移率提升了150%
%A Tang Zhaohuan
%A Tan Kaizhou
%A Cui Wei
%A Zhang Jing
%A Zhong Yi
%A Xu Shiliu
%A Hao Yue
%A Zhang Heming
%A Hu Huiyong
%A Zhang Zhengfan
%A Hu Gangyi
%A <br>唐昭焕
%A 谭开洲
%A 崔伟
%A 张静
%A 钟怡
%A 徐世六
%A 郝跃
%A 张鹤鸣
%A 胡辉勇
%A 张正璠
%A 胡刚毅
%J 半导体学报
%D 2012
%I 
%X 本文提出了一种基于混合晶向硅材料的高性能PMOSFET 器件。采用硅玻键合、化学机械抛光、硅刻蚀和非选择性外延等方法，成功制作了集成有（100）和（110）晶向的混合晶向硅片。基于这种混合晶向材料，成功研制了沟道宽长比为50：8 的PMOSFET器件，器件测试结果表明：制作在（110）晶向上的PMOSFET 器件在低场条件下，电流驱动能力提高了50.7%，最大迁移率增加了150%，是当前见于报道的PMOSFET迁移率提升指标较高的一颗器件。
%K hybrid orientation
%K non-selective expitaxy
%K carrier mobility
%K (110) crystal orientation
%K PMOSFET
%K chemical mechanical polishing<br>混合晶向
%K 非选择性外延
%K 载流子迁移率
%K (110)晶向
%K PMOSFET
%K 化学机械抛光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=649CF1A01F52D57155B0774DCE2F7371&yid=99E9153A83D4CB11&vid=27746BCEEE58E9DC&iid=B31275AF3241DB2D&sid=3D87B8A29CE460E7&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7