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ISSN: 2333-9721
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RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region
90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度

Keywords: RTS,amplitude,deep sub-micron,MOS
RTS,幅度,深亚微米,MOS,器件,亚阈值区,声幅,Region,MOS,Devices,电荷分布,宽范围,解释,结果,符合实验,机制,流产,沟道,栅电极,影响,陷阱电荷,方法,分析,机理,扩散流

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Abstract:

研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.

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