%0 Journal Article
%T RTS Amplitude of 90nm MOS Devices in Sub-Threshold Region<br>90nm MOS器件亚阈值区RTS噪声幅度
%A Bao Li
%A Zhuang Yiqi
%A Ma Xiaohua
%A Bao Junlin
%A <br>鲍立
%A 庄奕琪
%A 马晓华
%A 包军林
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 研究了SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度0.18μm×0.15μm尺寸nMOS器件随机电报信号(random telegraph signal,RTS)噪声幅度特性.在此基础上,提出了利用扩散流机理来分析亚阈值区RTS噪声的方法,引入了陷阱电荷影响栅电极的电荷分布,进而对沟道电流产生影响的机制.研究表明,该方法不仅符合实验结果,还可以解释RTS幅度的宽范围分布.
%K RTS
%K amplitude
%K deep sub-micron
%K MOS<br>RTS
%K 幅度
%K 深亚微米
%K MOS
%K 器件
%K 亚阈值区
%K 声幅
%K Region
%K MOS
%K Devices
%K 电荷分布
%K 宽范围
%K 解释
%K 结果
%K 符合实验
%K 机制
%K 流产
%K 沟道
%K 栅电极
%K 影响
%K 陷阱电荷
%K 方法
%K 分析
%K 机理
%K 扩散流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=73DC17F2AFFA8C56&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=C2A302D88B1505F1&eid=6EAE3EAEEC5D0463&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=21