Increasing substrate resistance to improve the turn-on uniformity of a high-voltage multi-finger GG-nLDMOS
增加衬底电阻提高高压多指GG-nLDMOS器件的均匀导通性

非均匀导通现象限制了多指条高压器件的ESD（静电放电）鲁棒性。本文对栅接地的n型LDMOS（GG-nLDMOS）器件在ESD应力下的导通特性进行了描述并分析了导致多指条GG-nLDMOS器件非均匀导通的原因。本文通过提出一种增加衬底电阻的器件优化结构来提高高压多指GG-nLDMOS器件的均匀导通性，并在0.35μm 40V BCD 工艺下得到成功验证。传输线脉冲(TLP)测试结果表明增加衬底电阻可以有效提高40V多指条GG-nLDMOS器件的均匀导通性并提高其ESD鲁棒性。