Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a-LiAlO2 substrate
γ-LiAlO2衬底上m面GaN薄膜的各向异性的测试和分析

以氢化物气相外延(HVPE)方法在γ-LiAlO2衬底上生长了0.09mm的m面GaN薄膜。应用室温光置发光光谱来考察样品m面内同c轴成不同夹角方向的光学各向异性。从观察到的结果看出沿c轴方向的内建电场造成的势对于电子跃迁起了影响，造成了明显的各向异性，但是该影响在GaN晶体沿c轴的六角对称性的作用下被削弱。