%0 Journal Article
%T Analysis of the anisotropy in an m-plane GaN film via HVPE on a-LiAlO2 substrate<br>γ-LiAlO2衬底上m面GaN薄膜的各向异性的测试和分析
%A Tian Mi
%A Xiu Xiangqian
%A Zhang Rong
%A Hua Xuemei
%A Liu Zhanhui
%A Han Ping
%A Xie Zili
%A Zheng Youdou
%A <br>田密
%A 修向前
%A 张荣
%A 华雪梅
%A 刘战辉
%A 韩平
%A 谢自力
%A 郑有炓
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 以氢化物气相外延(HVPE)方法在γ-LiAlO2衬底上生长了0.09mm的m面GaN薄膜。应用室温光置发光光谱来考察样品m面内同c轴成不同夹角方向的光学各向异性。从观察到的结果看出沿c轴方向的内建电场造成的势对于电子跃迁起了影响，造成了明显的各向异性，但是该影响在GaN晶体沿c轴的六角对称性的作用下被削弱。
%K γ-LiAlO2
%K GaN
%K HVPE
%K 各向异性
%K PL光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CF80CE49E81E7A77830E0CE05FEAB57A&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=B03F816C4416BDD5&eid=38B194292C032A66&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0