Estimation of electron mobility of n-doped 4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline using space-charge-limited currents
用空间电荷限制电流法测定n型掺杂的BPhen的电子迁移率

摘 要 用空间电荷限制电流（SCLC）法测定了不同厚度（50-300nm）的Liq掺杂BPhen的电子迁移率。实验结果表明在33wt％Liq掺杂的BPhen中，当厚度达到150nm以后电子迁移率接近于体材料的迁移率。对于300nm厚的掺杂的BPhen，测定的电子迁移率约为5.4×10-3 cm2/Vs （电场强度为0.3MV/cm时），比本征BPhen的迁移率（3.4×10-4 cm2/Vs）高约一个数量级，而且其迁移率基本上不依赖于电场。同时还对掺杂的BPhen为有机电致发光器件（OLED）的典型厚度时的电子迁移率进行了测定。