%0 Journal Article
%T Estimation of electron mobility of n-doped 4, 7-diphenyl-1, 10-phenanthroline using space-charge-limited currents<br>用空间电荷限制电流法测定n型掺杂的BPhen的电子迁移率
%A Khizar-ul-Haq
%A Khan M A
%A Jiang Xueyin
%A Zhang Zhilin
%A Zhang Xiaowen
%A Zhang Liang
%A Li Jun
%A <br>希扎尔·乌尔·哈克
%A 鲁富翰
%A 蒋雪茵
%A 张志林
%A 张小文
%A 张良
%A 李俊
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 摘 要 用空间电荷限制电流（SCLC）法测定了不同厚度（50-300nm）的Liq掺杂BPhen的电子迁移率。实验结果表明在33wt％Liq掺杂的BPhen中，当厚度达到150nm以后电子迁移率接近于体材料的迁移率。对于300nm厚的掺杂的BPhen，测定的电子迁移率约为5.4×10-3 cm2/Vs （电场强度为0.3MV/cm时），比本征BPhen的迁移率（3.4×10-4 cm2/Vs）高约一个数量级，而且其迁移率基本上不依赖于电场。同时还对掺杂的BPhen为有机电致发光器件（OLED）的典型厚度时的电子迁移率进行了测定。
%K doping
%K electron mobility
%K SCLC
%K 8-hydroxyquinolinonate-lithium (Liq)<br>关键词：A.掺杂
%K B.电子迁移率
%K C.空间电荷限制电流
%K D.
%K Liq
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6FC9C33BA97E5A268CF3D9B7D1B73D45&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=708DD6B15D2464E8&sid=CAC9B56D306166DA&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0