Low Noise Distributed Amplifiers Using a Novel Composite-Channel GaN HEMTs
一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2.0，相关增益大于7.0dB，带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2~10GHz频率范围内，噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合.