%0 Journal Article
%T Low Noise Distributed Amplifiers Using a Novel Composite-Channel GaN HEMTs<br>一种采用新型复合沟道GaN HEMTs低噪声分布式放大器
%A Cheng Zhiqun
%A Zhou Xiaopeng
%A Chen J Kevin
%A <br>程知群
%A 周肖鹏
%A 陈敬
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器，采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT (CC-HEMT). 给出了低噪声分布式放大器的仿真和测试结果. 测试结果显示低噪声分布式放大器在2~10GHz频率范围内，输入和输出端口驻波比均小于2.0，相关增益大于7.0dB，带内增益波纹小于1dB . 在2~6GHz频率范围内，噪声系数小于5dB；在2~10GHz频率范围内，噪声系数小于6.5dB; 测试结果与仿真结果较吻合.
%K low noise
%K distributed amplifiers
%K composite-channel
%K GaN HEMTs<br>低噪声
%K 分布式放大器
%K 复合沟道
%K GaN
%K HEMTs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=99BB9DBABEFDAA341D281E014B8C800B&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=59906B3B2830C2C5&sid=FE285F37AA3F3B9D&eid=9EFA9C0344D40E4A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10