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半导体学报 2008
Effect of Vacancy on Nucleation for Oxygen Precipitation in Conventional and Nitrogen-Doped Czochralski Silicon
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Abstract:
研究了普通直拉（CZ）硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理（RTP）后，再经600~1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为. 研究表明，由RTP引入的空位在700~800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著，而在800~900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著；在800℃以上，氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强. 此外，提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.
