%0 Journal Article
%T Effect of Vacancy on Nucleation for Oxygen Precipitation in Conventional and Nitrogen-Doped Czochralski Silicon<br>空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用
%A Jiang Hanqin
%A Ma Xiangyang
%A Yang Deren
%A Que Duanlin
%A <br>姜翰钦
%A 马向阳
%A 杨德仁
%A 阙端麟
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 研究了普通直拉（CZ）硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理（RTP）后，再经600~1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀行为. 研究表明，由RTP引入的空位在700~800℃间缓慢升温退火时对CZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著，而在800~900℃间缓慢升温退火时对NCZ硅中氧沉淀形核的促进作用最显著；在800℃以上，氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强. 此外，提出了适用于CZ和NCZ硅片的基于高温RTP和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺.
%K Czochralski silicon
%K oxygen precipitation
%K nucleation
%K vacancy<br>直拉硅单晶
%K 氧沉淀
%K 形核
%K 空位
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=34B4DBF90F382A253CAC70B40BEE6D3D&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=36250D1D6BDC99BD&eid=9C2DB0A0D5ABE6F8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17