Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer
使用ZnO电流扩展层提高GaN基LED提取效率

在氮化镓LED外延片上使用金属气相外延（MVPE）方法生长了高质量的ZnO单晶薄膜，利用湿法腐蚀等工艺成功制备了使用ZnO透明电极的在GaN基LED。与使用ITO和Ni/Au透明电极的LED进行了对比，具有ZnO透明电极的LED外量子效率比使用传统Ni/Au透明电极的LED提高了93%，比使用ITO透明电极的LED提高了35%。使用SEM、AFM、XRD等方法研究了ZnO薄膜的表面形貌和晶体质量，使用分光光度计测试透射光谱比较了ZnO薄膜的吸收性质。分析了ZnO透明电极的使用对提高LED发光效率的机理以及ZnO电极导致LED器件工作电压升高的问题。