%0 Journal Article
%T Light extraction efficiency enhancement of GaN-based light emitting diodes by a ZnO current spreading layer<br>使用ZnO电流扩展层提高GaN基LED提取效率
%A Yang Hu
%A Wang Xiaofeng
%A Ruan Jun
%A Li Zhicong
%A Yi Xiaoyan
%A Duan Yao
%A Zeng Yiping
%A Wang Guohong
%A <br>杨华
%A 王晓峰
%A 阮军
%A 李志聪
%A 伊晓燕
%A 段垚
%A 曾一平
%A 王国宏
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 在氮化镓LED外延片上使用金属气相外延（MVPE）方法生长了高质量的ZnO单晶薄膜，利用湿法腐蚀等工艺成功制备了使用ZnO透明电极的在GaN基LED。与使用ITO和Ni/Au透明电极的LED进行了对比，具有ZnO透明电极的LED外量子效率比使用传统Ni/Au透明电极的LED提高了93%，比使用ITO透明电极的LED提高了35%。使用SEM、AFM、XRD等方法研究了ZnO薄膜的表面形貌和晶体质量，使用分光光度计测试透射光谱比较了ZnO薄膜的吸收性质。分析了ZnO透明电极的使用对提高LED发光效率的机理以及ZnO电极导致LED器件工作电压升高的问题。
%K GaN
%K LED
%K ZnO
%K extraction ef?ciency
%K transparent electrode<br>氮化镓，发光二极管，提取效率，透明电极
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D61478FE3933104E434A8DDB29CE168D&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=601CE9EB8EFF5B6C&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0