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ISSN: 2333-9721
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Development and characteristics analysis of recessed-gate MOS HEMT
槽栅MOSHEMT研制与特性分析

Keywords: high electron mobility transistors,AlGaN/GaN,recessed-gate,dielectric gate
高电子迁移率晶体管,AlGaN/GaN,槽栅,介质栅

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Abstract:

研制出蓝宝石衬底的槽栅AlGaN/GaN MOS HEMT。器件栅长1um，源漏间距4um,在4V栅压下器件饱和电流达到684mA/mm，最大跨导219 mS/mm，ft和fmax分别为9.2GHz和14.1GHz。相比未刻槽的MOS HEMT，最大跨导提高24.3%，相比金半接触的常规结构HEMT，肖特基泄漏电流减小2个数量极

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