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半导体学报 2008
Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature
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Abstract:
生长温度对SiGe合金的性能有重要影响. 在双腔超高真空化学气相淀积生长中，通常采用液氮冷却的方法. 该生长模式下，通入乙硅烷时腔内的生长气压约为1E-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃. 为了降低生长温度，文中采用了不用液氮冷却的模式，腔内生长气压约为1E-2Pa,增加3个数量级,并且将生长温度降到了485℃，远低于传统的生长温度. DCXRD测试和TEM图像表明，生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超晶格具有良好的晶格质量. 结果证明，在UHV/CVD系统中，这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法.
