%0 Journal Article
%T Growth of SiGe by D-UHV/CVD at Low Temperature<br>D-UHV/VCD系统中SiGe薄膜的低温生长
%A Zeng Yugang
%A Han Genquan
%A Yu Jinzhong
%A <br>曾玉刚
%A 韩根全
%A 余金中
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 生长温度对SiGe合金的性能有重要影响. 在双腔超高真空化学气相淀积生长中，通常采用液氮冷却的方法. 该生长模式下，通入乙硅烷时腔内的生长气压约为1E-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃. 为了降低生长温度，文中采用了不用液氮冷却的模式，腔内生长气压约为1E-2Pa,增加3个数量级,并且将生长温度降到了485℃，远低于传统的生长温度. DCXRD测试和TEM图像表明，生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超晶格具有良好的晶格质量. 结果证明，在UHV/CVD系统中，这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法.
%K SiGe
%K D-UHV/CVD
%K low-temperature deposition
%K DCXRD<br>SiGe
%K 超高真空化学气相淀积
%K 低温生长
%K X射线双晶衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=484E3BC4B3E7BD33E6FDB88FD9698709&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=41092F8E82939C3E&eid=22AA0D3D54DBF917&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=10