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ISSN: 2333-9721
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Bi2O3-ZnO-Nb2O5 Film Fabricated by Sol-Gel Technique and C-V Characteristic of GaN MIS Structure
溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性

Keywords: sol-gel,BZN film,MIS structure,C-V curve
溶胶-凝胶
,铋锌铌薄膜,金属-绝缘层-半导体结构,电容-电压曲线

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Abstract:

采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.

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