%0 Journal Article
%T Bi2O3-ZnO-Nb2O5 Film Fabricated by Sol-Gel Technique and C-V Characteristic of GaN MIS Structure<br>溶胶-凝胶法制备Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜及GaNMIS结构C-V特性
%A Shu Bin
%A Zhang Heming
%A Wang Qing
%A Huang Dapeng
%A Xuan Rongxi
%A <br>舒斌
%A 张鹤鸣
%A 王青
%A 黄大鹏
%A 宣荣喜
%J 半导体学报
%D 2007
%I 
%X 采用溶胶-凝胶法制备出高介电常数的Bi2O3-ZnO-Nb2Os(BZN)薄膜.总结出适合作为GaN金属-绝缘层-半导体场效应晶体管(MIS FET)栅介质的BZN薄膜的原料配比、烧结温度和保温时间等工艺参数,解决了原料溶解、粘稠度、浸润度等工艺问题.同时,结合半导体工艺制造出以BZN薄膜为绝缘介质的GaN MIS结构,通过测量到的高频C-V特性曲线,得到薄膜的相对介电常数为91,MIS结构的强反型电压为-3.4V,平带电压为-1.9V.
%K sol-gel
%K BZN film
%K MIS structure
%K C-V curve<br>溶胶-凝胶
%K 铋锌铌薄膜
%K 金属-绝缘层-半导体结构
%K 电容-电压曲线
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=477557CA0355466A&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=D3E34374A0D77D7F&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=1D9D6C66A0E73D63&eid=3FD5B2D1B84CE43E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=16