Influence of etching current density on the morphology of macroporous silicon arrays by photo-electrochemical etching
电流密度对光电化学腐蚀宏孔硅阵列形貌的影响

宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔，引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构，本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验，重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线，讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法，并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流，实现了理想的MSA等径生长，制备出孔深度为295 m，长径比为98的MSA结构。