%0 Journal Article
%T Influence of etching current density on the morphology of macroporous silicon arrays by photo-electrochemical etching<br>电流密度对光电化学腐蚀宏孔硅阵列形貌的影响
%A Wang Guozheng
%A Chen Li
%A Qin Xulei
%A Wang Ji
%A Wang Yang
%A Fu Shencheng
%A Duanmu Qingduo
%A <br>王国政
%A 陈立
%A 秦旭磊
%A 王蓟
%A 王洋
%A 付申成
%A 端木庆铎
%J 半导体学报
%D 2010
%I 
%X 宏孔硅阵列(MSA)在光子晶体、硅微通道板、MEMS 器件等领域应用前景广阔，引起人们广泛关注。为制备理想的MSA结构，本文开展了MSA光电化学方法腐蚀实验，重点研究了腐蚀电流密度对宏孔形貌的影响。给出了n型硅抛光片背面光照情况下在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线，讨论了临界电流密度JPS的意义和MSA稳定生长的基本电流密度条件。提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法，并根据JPS的测量结果调整腐蚀电流，实现了理想的MSA等径生长，制备出孔深度为295 m，长径比为98的MSA结构。
%K current density
%K macroporous silicon arrays
%K photo-electrochemical etching
%K initial pits<br>电流密度
%K 宏孔硅阵列
%K 光电化学腐蚀
%K 诱导坑
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8000958B53360D90DD8C4244E4E9462F&yid=140ECF96957D60B2&vid=4AD960B5AD2D111A&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=1D3D82446537823D&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0