0.18μm CMOS器件低剂量率辐照模拟方法研究

本文研究了三种低剂量率效应的模拟方法，并利用0.18μm CMOS工艺晶体管进行了实验验证，研究结果表明，用一系列高剂量率辐照样品，两次辐照之间经100oC退火的方法在模拟连续的低剂量率辐照是最好的。该方法节约时间是很可观的，能够减少0.5rad(Si)/s低剂量率实验时间达45倍，而且提供了在低剂量率辐照下器件的详细信息。