%0 Journal Article
%T 0.18μm CMOS器件低剂量率辐照模拟方法研究
%A 何宝平
%A 姚志斌
%A 郭红霞
%A 罗尹虹
%A 张凤祁
%A 王圆明
%A 张科营
%J 半导体学报
%D 2009
%I 
%X 本文研究了三种低剂量率效应的模拟方法，并利用0.18μm CMOS工艺晶体管进行了实验验证，研究结果表明，用一系列高剂量率辐照样品，两次辐照之间经100oC退火的方法在模拟连续的低剂量率辐照是最好的。该方法节约时间是很可观的，能够减少0.5rad(Si)/s低剂量率实验时间达45倍，而且提供了在低剂量率辐照下器件的详细信息。
%K 关态泄漏电流，
%K 总剂量效应，低剂量率，模拟方法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=175E1C05324E303FCB5F413E6282DE79&yid=DE12191FBD62783C&vid=340AC2BF8E7AB4FD&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=E9A6A720319368D9&eid=E158A972A605785F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0