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半导体学报 2009
界面态产生/恢复中的反应扩散模型, 边界条件和初始值效应Keywords: 反应扩散(RD)模型,,界面态产生/钝化,负偏压温度不稳定性,,电荷泵(CP),,DCIV Abstract: 标准的反应扩散(RD)模型假设氧化层为无限厚和界面态初始值为零,然而这不符合MOS器件中的实际情况。在本论文中,我们用数值方法求解RD模型, 考虑氧化层为有限厚度和初始界面态密度不为零的情况。结果表明界面态的产生和恢复受栅氧化层/多晶硅界面条件的强烈影响。当假设H扩散在该界面为吸收边界条件时,RD模型与测到的CMOS器件在负偏压温度应力下产生的界面态情况更符合。结果同时表明非零的界面态初始值会增加NBTI幂函数关系中应力阶段的幂指数n。
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